Microchip MSC040SMA120S

生命周期状态

Production (Last Updated: 9 months ago)

安装类型

面板安装

包装/外壳

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

供应商器件包装

D3PAK

Voltage Rating DC

28V

Contact Materials

银合金

Voltage Rating AC

115V

Continuous Drain Current Id

64

Package

Tube

Base Product Number

MSC040

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

64A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

303W

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

1.2 kV

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

1.8 V

Pd - Power Dissipation

303 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 10 V, + 23 V

Unit Weight

0.218699 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Channel Mode

Enhancement

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Qg - Gate Charge

137 nC

Rds On - Drain-Source Resistance

50 mOhms

RoHS

Details

Id - Continuous Drain Current

64 A

系列

44

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

包装

Tube

零件状态

活跃

定位的数量

2

子类别

MOSFETs

技术

SiCFET (Silicon Carbide)

额定电流

5A (AC), 1A (DC)

触点表面处理

--

终端样式

焊片

执行器类型

Flatted (6.35mm Dia)

面板开孔尺寸

--

配置

Single

通道数量

1 Channel

功率耗散

303

甲板数量

5

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

50mOhm @ 40A, 20V

操作力

5.761 ~ 83gfm

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.6V @ 2mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1990 pF @ 1000 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

137 nC @ 20 V

漏源电压 (Vdss)

1200 V

Vgs（最大值）

+23V, -10V

产品类别

MOSFET

触点定时

Non-Shorting (BBM)

索引停止

固定式

每层电路

DPDT

面板后深度

61.19mm

信道型

N

每个甲板的杆数

2

投掷角度

60°

场效应管特性

-

特征

--

产品类别

MOSFET

执行器长度

11.10mm