Microchip MSC080SMA120J

安装类型

通孔

包装/外壳

Radial

供应商器件包装

SOT-227 (ISOTOP®)

介电材料

Polypropylene (PP), Metallized

Lead Free Status / RoHS Status

--

Voltage Rating DC

2000V (2kV)

Voltage Rating AC

700V

Continuous Drain Current Id

37

Package

Tube

Base Product Number

MSC080

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

37A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

-

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

-

Product Status

活跃

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

1.2 kV

Pd - Power Dissipation

200 W

Transistor Polarity

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vgs - Gate-Source Voltage

- 10 V, + 25 V

Unit Weight

1.664155 oz

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

螺钉安装

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Rds On - Drain-Source Resistance

100 mOhms

RoHS

Details

Id - Continuous Drain Current

37 A

操作温度

-55°C ~ 105°C

系列

PPB

包装

Bulk

尺寸/尺寸

1.260 L x 0.512 W (32.00mm x 13.00mm)

容差

±10%

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

--

终端

PC引脚

类型

功率MOSFET

应用

Commutation; High Pulse, DV/DT; Snubber

电容量

0.03µF

子类别

Discrete Semiconductor Modules

技术

SiCFET (Silicon Carbide)

引线间距

1.083 (27.50mm)

配置

Single

通道数量

1 Channel

功率耗散

200

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

-

漏源电压 (Vdss)

1200 V

Vgs（最大值）

-

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

场效应管特性

-

产品

IGBT碳化硅模块

特征

--

产品类别

Discrete Semiconductor Modules

座位高度(最大)

0.866 (22.00mm)

评级结果

--