Microchip TP5335K1-G-VAO

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

供应商器件包装

SOT-23-3

材料

Plastic

With label space

有

Imprint

Symbols

Transparent

无

Model

Booklet shape

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

TP5335

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

85mA (Tj)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

360mW (Ta)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

类型

Medium-walled

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

P-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

30Ohm @ 200mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

110 pF @ 25 V

漏源电压 (Vdss)

350 V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

-

宽度

2.3

长度

5