TP5335MF-G-VAO
TP5335MF-G-VAO

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Microchip TP5335MF-G-VAO

  • 收藏
  • 对比

型号

TP5335MF-G-VAO

品牌

Microchip

utmel 编号

1610-TP5335MF-G-VAO

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

6-VDFN Exposed Pad

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MO

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
TP5335MF-G-VAO
TP5335MF-G-VAO Microchip MOSFET, P-CHANNEL ENHANCEMENT-MO

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

TP5335MF-G-VAO详情

Microchip TP5335MF-G-VAO重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-VDFN Exposed Pad

  • 供应商器件包装

    6-DFN (2x2)

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • Base Product Number

    TP5335

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    85mA (Tj)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    4.5V, 10V

  • 厂商

    微芯片技术

  • Power Dissipation (Max)

    360mW (Ta)

  • Product Status

    活跃

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q100

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    30Ohm @ 200mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.4V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    110 pF @ 25 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    350 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 场效应管特性

    -

0个相似型号

TP5335MF-G-VAO拓展信息

APT34N80B2C3G
APT34N80B2C3G

Microchip Technology

TP2104K1-G
TP2104K1-G

Microchip Technology

DN3535N8-G
DN3535N8-G

Microchip Technology

VN2410L-G
VN2410L-G

Microchip Technology

DN3135K1-G
DN3135K1-G

Microchip Technology

TP5335K1-G
TP5335K1-G

Microchip Technology

2N7000-G
2N7000-G

Microchip Technology

DN3525N8-G
DN3525N8-G

Microchip Technology

DN2540N8-G
DN2540N8-G

Microchip Technology

TN5325N8-G
TN5325N8-G

Microchip Technology

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z