Microchip VN3515L-G

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Dim

(Ø x L) 2.2 mm x 5.9 mm

RoHS-compliant

有

Tolerance ±

1%

(Ø)

2.2mm

Content

2000pc(s)

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

65 ns

Package Description

CYLINDRICAL, O-PBCY-T3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

VN3515L-G

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microchip Technology Inc

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROCHIP TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.26

Drain Current-Max (ID)

0.15 A

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

类型

CSRV0207FTDT1964

电阻

1.96MΩ

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1 W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

150 mA

JEDEC-95代码

TO-92

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.15 A

漏极-源极导通最大电阻

15 Ω

漏源击穿电压

350 V

DS 击穿电压-最小值

350 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1 W

漏源电阻

15 Ω

反馈上限-最大值 (Crss)

10 pF

长度

5.9mm