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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥193.821975
10
¥182.850921
100
¥172.500871
500
¥162.736666
1000
¥153.525157
Microchip Technology 2N6660
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- 对比
2N6660
1610-2N6660
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
大陆
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MOSFET N-CH 60V 0.41A TO39-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2N6660详情
Microchip Technology 2N6660重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
6 Weeks
触点镀层
Gold
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
引脚数
3
供应商器件包装
TO-39
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
410mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
6.25W Tc
Turn Off Delay Time
10 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
已出版
2011
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
通道数量
1
电压
60V
元素配置
Single
电流
11A
功率耗散
6.25W
接通延迟时间
10 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3Ohm @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 24V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
410mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
60V
输入电容
50pF
漏源电阻
3Ohm
最大rds
3 Ω
辐射硬化
无
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
无铅
2N6660拓展信息
Microchip Technology
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