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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥34.255675
10
¥32.316675
100
¥30.487429
500
¥28.761724
1000
¥27.1337
Microchip Technology APT15GP60BDQ1G
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- 对比
APT15GP60BDQ1G
1610-APT15GP60BDQ1G
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247, RoHSView in Development Tools Selector
--最小包装量--
¥
总价: ¥
APT15GP60BDQ1G详情
Microchip Technology APT15GP60BDQ1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-247-3
供应商器件包装
TO-247 [B]
RoHS
Details
Mounting Styles
通孔
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V, + 20 V
Continuous Collector Current at 25 C
56 A
Pd - Power Dissipation
250 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Unit Weight
0.208116 oz
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
56 A
Base Product Number
APT15GP60
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Test Conditions
400V, 15A, 5Ohm, 15V
包装
Tube
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
POWER MOS 7®
配置
Single
功率耗散
250
输入类型
Standard
功率 - 最大
250 W
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.7V @ 15V, 15A
连续集电极电流
56
IGBT类型
PT
闸门收费
55 nC
集极脉冲电流(Icm)
65 A
Td(开/关)@25°C
8ns/29ns
开关能量
130µJ (on), 120µJ (off)
APT15GP60BDQ1G拓展信息
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