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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥129.355067
10
¥122.033081
100
¥115.125547
500
¥108.609009
1000
¥102.461329
Microchip Technology APT65GP60B2G
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- 对比
APT65GP60B2G
1610-APT65GP60B2G
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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IGBT Transistors FG, IGBT, 600V, 65A, TO-247 T-MAX, RoHSView in Development Tools Selector
--最小包装量--
¥
总价: ¥
APT65GP60B2G详情
Microchip Technology APT65GP60B2G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-247-3
安装类型
通孔
RoHS
Details
Mounting Styles
通孔
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.2 V
Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V, + 20 V
Continuous Collector Current at 25 C
100 A
Pd - Power Dissipation
833 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Unit Weight
1.340411 oz
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
100 A
Base Product Number
APT65GP60
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Test Conditions
400V, 65A, 5Ohm, 15V
包装
Tube
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
POWER MOS 7®
配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
833 W
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.7V @ 15V, 65A
IGBT类型
PT
闸门收费
210 nC
集极脉冲电流(Icm)
250 A
Td(开/关)@25°C
30ns/91ns
开关能量
605µJ (on), 896µJ (off)
APT65GP60B2G拓展信息
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