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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥66.100773
10
¥62.359219
100
¥58.829449
500
¥55.499487
1000
¥52.358002
Microchip Technology APT75GN60LDQ3G
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- 对比
APT75GN60LDQ3G
1610-APT75GN60LDQ3G
晶体管 - IGBT - 单个
TO-264-3
大陆
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IGBT Transistors FG, IGBT, 600V, TO-264, RoHSView in Development Tools Selector
--最小包装量--
¥
总价: ¥
APT75GN60LDQ3G详情
Microchip Technology APT75GN60LDQ3G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-264-3
安装类型
通孔
供应商器件包装
TO-264 [L]
RoHS
Details
Mounting Styles
通孔
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.45 V
Maximum Gate Emitter Voltage
- 30 V, + 30 V
Continuous Collector Current at 25 C
155 A
Pd - Power Dissipation
536 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Continuous Collector Current Ic Max
155 A
Gate-Emitter Leakage Current
600 nA
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Unit Weight
0.373904 oz
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
155 A
Base Product Number
APT75GN60
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Test Conditions
400V, 75A, 1Ohm, 15V
包装
Tube
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
配置
Single
输入类型
Standard
功率 - 最大
536 W
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
1.85V @ 15V, 75A
连续集电极电流
155 A
IGBT类型
沟渠现场停车
闸门收费
485 nC
集极脉冲电流(Icm)
225 A
Td(开/关)@25°C
47ns/385ns
开关能量
2500µJ (on), 2140µJ (off)
高度
5.21 mm
长度
26.49 mm
宽度
20.5 mm
APT75GN60LDQ3G拓展信息
Microchip Technology
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