Microchip Technology APT25GT120BRDQ2G

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

底架

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-247 [B]

质量

38.000013 g

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

1.2 kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.2 V

Maximum Gate Emitter Voltage

- 30 V, + 30 V

Continuous Collector Current at 25 C

54 A

Pd - Power Dissipation

347 W

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Continuous Collector Current Ic Max

54 A

Gate-Emitter Leakage Current

120 nA

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Tradename

雷电IGBT

Unit Weight

1.340411 oz

Package

Tube

Current-Collector (Ic) (Max)

54 A

Base Product Number

APT25GT120

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Test Conditions

800V, 25A, 5Ohm, 15V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2 kV

Voltage Rating (DC)

1.2 kV

Package Description

ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Turn-on Time-Nom (ton)

41 ns

Turn-off Time-Nom (toff)

186 ns

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT25GT120BRDQ2G

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.18

Part Package Code

TO-247

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

Thunderbolt IGBT®

JESD-609代码

e1

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

347 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

54 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

Single

元素配置

Single

功率耗散

347

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

功率 - 最大

347 W

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2 kV

最大集电极电流

54 A

工作温度范围

- 55 C to + 150 C

JEDEC-95代码

TO-247

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200 V

最大耗散功率(Abs)

347 W

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.7V @ 15V, 25A

集电极电流-最大值(IC)

54 A

连续集电极电流

54 A

IGBT类型

NPT

集电极-发射器电压-最大值

1200 V

闸门收费

170 nC

集极脉冲电流（Icm）

75 A

Td（开/关）@25°C

14ns/150ns

开关能量

930µJ (on), 720µJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

30 V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5 V

高度

5.31 mm

长度

21.46 mm

宽度

16.26 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅