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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥50.206647
10
¥47.364762
100
¥44.683735
500
¥42.154471
1000
¥39.768363
Microchip Technology APT54GA60BD30
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- 对比
APT54GA60BD30
1610-APT54GA60BD30
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-247View in Development Tools Selector
--最小包装量--
¥
总价: ¥
APT54GA60BD30详情
Microchip Technology APT54GA60BD30重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-247-3
安装类型
通孔
供应商器件包装
TO-247 [B]
RoHS
Details
Mounting Styles
通孔
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Maximum Gate Emitter Voltage
- 30 V, + 30 V
Continuous Collector Current at 25 C
96 A
Pd - Power Dissipation
416 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Continuous Collector Current Ic Max
96 A
Gate-Emitter Leakage Current
+/- 100 nA
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Unit Weight
1.340411 oz
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
96 A
Base Product Number
APT54GA60
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Test Conditions
400V, 32A, 4.7Ohm, 15V
包装
Tube
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
配置
Single
功率耗散
416
输入类型
Standard
功率 - 最大
416 W
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
电压 - 集射极击穿(最大值)
600 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.5V @ 15V, 32A
连续集电极电流
96
IGBT类型
PT
闸门收费
28 nC
集极脉冲电流(Icm)
161 A
Td(开/关)@25°C
17ns/112ns
开关能量
534µJ (on), 466µJ (off)
高度
4.69 mm
长度
10.8 mm
宽度
15.49 mm
APT54GA60BD30拓展信息
Microchip Technology
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