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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥110.674201
10
¥104.40962
100
¥98.499641
500
¥92.924193
1000
¥87.66433
Microchip Technology APT35GP120BG
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- 对比
APT35GP120BG
1610-APT35GP120BG
晶体管 - IGBT - 单个
TO-247-3
大陆
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IGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, 35A, TO-247, RoHSView in Development Tools Selector
--最小包装量--
¥
总价: ¥
APT35GP120BG详情
Microchip Technology APT35GP120BG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-247-3
安装类型
通孔
供应商器件包装
TO-247 [B]
RoHS
Details
Mounting Styles
通孔
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
1.2 kV
Collector-Emitter Saturation Voltage
3.3 V
Maximum Gate Emitter Voltage
- 20 V, + 20 V
Continuous Collector Current at 25 C
96 A
Pd - Power Dissipation
543 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Unit Weight
1.340411 oz
Package
Tube
Current-Collector (Ic) (Max)
96 A
Base Product Number
APT35GP120
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Test Conditions
600V, 35A, 5Ohm, 15V
包装
Tube
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
POWER MOS 7®
配置
Single
功率耗散
543
输入类型
Standard
功率 - 最大
543 W
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.9V @ 15V, 35A
连续集电极电流
96
IGBT类型
PT
闸门收费
150 nC
集极脉冲电流(Icm)
140 A
Td(开/关)@25°C
16ns/94ns
开关能量
750µJ (on), 680µJ (off)
APT35GP120BG拓展信息
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