APT20M38SVRG
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Microchip Technology APT20M38SVRG

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型号

APT20M38SVRG

utmel 编号

1610-APT20M38SVRG

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

D3PAK-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET FG, MOSFET, 200V, 0.038_OHM, D3, TO-268, RoHSView in Development Tools Selector

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APT20M38SVRG
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APT20M38SVRG详情

Microchip Technology APT20M38SVRG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    D3PAK-3

  • 安装类型

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    D3 [S]

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

    Details

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    200 V

  • Id - Continuous Drain Current

    67 A

  • Rds On - Drain-Source Resistance

    38 mOhms

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    - 30 V, + 30 V

  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

    4 V

  • Qg - Gate Charge

    148 nC

  • Minimum Operating Temperature

    - 55 C

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Pd - Power Dissipation

    370 W

  • Channel Mode

    Enhancement

  • Tradename

    功率 MOS V

  • Fall Time

    10 ns

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    1

  • Typical Turn-Off Delay Time

    48 ns

  • Typical Turn-On Delay Time

    14 ns

  • Unit Weight

    0.218699 oz

  • Continuous Drain Current Id

    67

  • Package

    Tube

  • Base Product Number

    APT20M38

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    67A (Tc)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • 厂商

    微芯片技术

  • Power Dissipation (Max)

    370W (Tc)

  • Product Status

    活跃

  • Package Description

    D3PAK-3

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    APT20M38SVRG

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    MICROSEMI CORP

  • Risk Rank

    1.4

  • Drain Current-Max (ID)

    67 A

  • 包装

    Tube

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    POWER MOS V®

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Pure Matte Tin (Sn)

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    245

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 通道数量

    1 Channel

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    370

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    38mOhm @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    6120 pF @ 25 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    225 nC @ 10 V

  • 上升时间

    21 ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    200 V

  • Vgs(最大值)

    ±30V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.038 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    268 A

  • DS 击穿电压-最小值

    200 V

  • 信道型

    N

  • 雪崩能量等级(Eas)

    1300 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    -

  • 高度

    5.08 mm

  • 长度

    16.05 mm

  • 宽度

    13.99 mm

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