Microchip Technology APT20M38SVRG/TR

包装/外壳

D3PAK-3

安装类型

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

D3Pak

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Mounting Styles

SMD/SMT

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

400

Unit Weight

0.218699 oz

Package

Tape & Reel (TR)

Base Product Number

APT20M38

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

67A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

370W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

APT20M38SVRG/TR

Turn-on Time-Max (ton)

70 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROCHIP TECHNOLOGY INC

Turn-off Time-Max (toff)

95 ns

Risk Rank

5.66

Drain Current-Max (ID)

67 A

包装

Reel

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS V®

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

38mOhm @ 33.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6120 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

225 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

200 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

67 A

漏极-源极导通最大电阻

0.038 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

268 A

DS 击穿电压-最小值

200 V

雪崩能量等级（Eas）

1300 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

370 W

场效应管特性

-

反馈上限-最大值 (Crss)

585 pF