Microchip Technology APT20M45BVRG

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

底架

通孔

供应商器件包装

TO-247 [B]

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

200 V

Id - Continuous Drain Current

56 A

Rds On - Drain-Source Resistance

45 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

4 V

Qg - Gate Charge

130 nC

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

300 W

Channel Mode

Enhancement

Fall Time

7 ns

Forward Transconductance - Min

-

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Typical Turn-Off Delay Time

43 ns

Typical Turn-On Delay Time

12 ns

Unit Weight

0.211644 oz

Continuous Drain Current Id

56

Package

Tube

Base Product Number

APT20M45

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

56A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

300W (Tc)

Product Status

活跃

Schedule B

8541290080

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

200 V

Turn Off Delay Time

43 ns

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS V®

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

300 W

额定电流

56 A

配置

Single

通道数量

1 Channel

功率耗散

300

接通延迟时间

12 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

45mOhm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4860 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

195 nC @ 10 V

上升时间

14 ns

漏源电压 (Vdss)

200 V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

56 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

输入电容

4.86 nF

信道型

N

场效应管特性

-

最大rds

45 mΩ

高度

21.46 mm

长度

16.26 mm

宽度

5.31 mm

辐射硬化

无

无铅

无铅