Microchip Technology APT30M36B2FLLG

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

T-MAX-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

T-MAX™ [B2]

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

300 V

Id - Continuous Drain Current

84 A

Rds On - Drain-Source Resistance

36 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

5 V

Qg - Gate Charge

115 nC

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

568 W

Channel Mode

Enhancement

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.208116 oz

Package

Tube

Base Product Number

APT30M36

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

84A (Tc)

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

300 V

Turn Off Delay Time

29 ns

包装

Tube

系列

POWER MOS 7®

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

额定电流

84 A

通道数量

1 Channel

功率耗散

568 W

接通延迟时间

15 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

36mOhm @ 42A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6480 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

115 nC @ 10 V

上升时间

31 ns

漏源电压 (Vdss)

300 V

连续放电电流(ID)

84 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

输入电容

6.48 nF

场效应管特性

-

辐射硬化

无

无铅

无铅