Microchip Technology APT38F80L

包装/外壳

TO-264-3

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-264 [L]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

800 V

Id - Continuous Drain Current

41 A

Rds On - Drain-Source Resistance

240 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

4 V

Qg - Gate Charge

260 nC

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

1.04 kW

Channel Mode

Enhancement

Fall Time

60 ns

Forward Transconductance - Min

38 S

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Typical Turn-Off Delay Time

200 ns

Typical Turn-On Delay Time

46 ns

Unit Weight

0.352740 oz

Package

Tube

Base Product Number

APT38F80

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

41A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

1040W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

ROHS COMPLIANT, T-MAX, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT38F80L

Package Shape

RECTANGULAR

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

1.73

Part Package Code

TO-264AA

Drain Current-Max (ID)

22 A

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 8™

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

纯哑光锡

附加功能

FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

240mOhm @ 20A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8070 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

260 nC @ 10 V

上升时间

65 ns

漏源电压 (Vdss)

800 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-264AA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

41 A

漏极-源极导通最大电阻

0.28 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

150 A

DS 击穿电压-最小值

800 V

雪崩能量等级（Eas）

1710 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1040 W

场效应管特性

-