Microchip Technology APT5024BFLLG

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

包装/外壳

TO-247-3

底架

通孔

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-247 [B]

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500 V

Id - Continuous Drain Current

22 A

Rds On - Drain-Source Resistance

240 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3 V

Qg - Gate Charge

43 nC

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

265 W

Channel Mode

Enhancement

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.211644 oz

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

500 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

18 ns

Package

Tube

Base Product Number

APT5024

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

22A (Tc)

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

包装

Tube

系列

POWER MOS 7®

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

265 W

额定电流

22 A

配置

Single

通道数量

1 Channel

功率耗散

265 W

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

240mOhm @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1900 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

43 nC @ 10 V

上升时间

6 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

连续放电电流(ID)

22 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

输入电容

1.9 nF

场效应管特性

-

最大rds

240 mΩ

辐射硬化

无

无铅

无铅