Microchip Technology APT5024BLLG

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

包装/外壳

TO-247-3

底架

通孔

安装类型

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-247 [B]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500 V

Id - Continuous Drain Current

22 A

Rds On - Drain-Source Resistance

240 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3 V

Qg - Gate Charge

43 nC

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

265 W

Channel Mode

Enhancement

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.211644 oz

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

500 V

Turn Off Delay Time

18 ns

Package

Tube

Base Product Number

APT5024

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

22A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

265W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT5024BLLG

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.09

Part Package Code

TO-247AD

Drain Current-Max (ID)

22 A

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 7®

JESD-609代码

e1

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

265 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

22 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

265 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

240mOhm @ 11A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1900 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

43 nC @ 10 V

上升时间

6 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

22 A

JEDEC-95代码

TO-247AD

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

0.24 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

88 A

输入电容

1.9 nF

DS 击穿电压-最小值

500 V

雪崩能量等级（Eas）

960 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

最大rds

240 mΩ

辐射硬化

无

无铅

无铅