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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥203.358724
10
¥191.847854
100
¥180.98854
500
¥170.743904
1000
¥161.079161
Microchip Technology APT50M65B2FLLG
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APT50M65B2FLLG
1610-APT50M65B2FLLG
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
T-MAX-3
大陆
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MOSFET FG, FREDFET, 500V, TO-247 T-MAX, RoHSView in Development Tools Selector
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¥
总价: ¥
APT50M65B2FLLG详情
Microchip Technology APT50M65B2FLLG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 months ago)
包装/外壳
T-MAX-3
安装类型
通孔
底架
通孔
引脚数
3
供应商器件包装
T-MAX™ [B2]
RoHS
Details
Mounting Styles
通孔
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Unit Weight
0.208116 oz
Package
Tube
Base Product Number
APT50M65
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
67A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
微芯片技术
Power Dissipation (Max)
694W (Tc)
Product Status
活跃
Schedule B
8541290080
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
500 V
Turn Off Delay Time
29 ns
包装
Tube
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
POWER MOS 7®
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
694 W
额定电流
67 A
功率耗散
694 W
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
65mOhm @ 33.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 2.5mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7010 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
141 nC @ 10 V
上升时间
28 ns
漏源电压 (Vdss)
500 V
Vgs(最大值)
±30V
连续放电电流(ID)
67 A
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
输入电容
7.01 nF
场效应管特性
-
最大rds
65 mΩ
辐射硬化
无
无铅
无铅
APT50M65B2FLLG拓展信息
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