Microchip Technology APT50M75B2LLG

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

T-MAX-3

安装类型

通孔

底架

通孔

引脚数

3

供应商器件包装

T-MAX™ [B2]

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

500 V

Id - Continuous Drain Current

57 A

Rds On - Drain-Source Resistance

75 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3 V

Qg - Gate Charge

125 nC

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

570 W

Channel Mode

Enhancement

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.208116 oz

Continuous Drain Current Id

57

Package

Tube

Base Product Number

APT50M75

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

57A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

570W (Tc)

Product Status

活跃

Turn Off Delay Time

21 ns

Voltage Rating (DC)

500 V

Number of Elements

1

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

POWER MOS 7®

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

570 W

额定电流

57 A

配置

Single

通道数量

1 Channel

功率耗散

570 W

接通延迟时间

8 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

75mOhm @ 28.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5590 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

125 nC @ 10 V

上升时间

19 ns

漏源电压 (Vdss)

500 V

Vgs（最大值）

±30V

连续放电电流(ID)

57 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

输入电容

5.59 nF

信道型

N

场效应管特性

-

最大rds

75 mΩ

辐射硬化

无

无铅

无铅