Microchip Technology APT66M60B2

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

T-MAX-3

安装类型

通孔

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

T-MAX™ [B2]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Details

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

600 V

Id - Continuous Drain Current

70 A

Rds On - Drain-Source Resistance

75 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

4 V

Qg - Gate Charge

330 nC

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

1.135 kW

Channel Mode

Enhancement

Tradename

Power MOS 8

Fall Time

70 ns

Forward Transconductance - Min

65 S

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Typical Turn-Off Delay Time

225 ns

Typical Turn-On Delay Time

75 ns

Unit Weight

0.208116 oz

Continuous Drain Current Id

70

Package

Tube

Base Product Number

APT66M60

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

70A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

微芯片技术

Power Dissipation (Max)

1135W (Tc)

Product Status

活跃

Number of Elements

1

Voltage Rating (DC)

600 V

Turn Off Delay Time

225 ns

Package Description

ROHS COMPLIANT, T-MAX, 3 PIN

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

APT66M60B2

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.21

Drain Current-Max (ID)

70 A

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

电阻

90 mΩ

端子表面处理

Pure Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY

最大功率耗散

1.135 kW

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

66 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSIP-T3

资历状况

不合格

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.135

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

75 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

100mOhm @ 33A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 2.5mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

13190 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

330 nC @ 10 V

上升时间

85 ns

漏源电压 (Vdss)

600 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

70 A

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

0.09 Ω

漏源击穿电压

600 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

245 A

输入电容

13.19 nF

DS 击穿电压-最小值

600 V

信道型

N

雪崩能量等级（Eas）

1845 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

漏源电阻

75 mΩ

最大rds

100 mΩ

高度

5.31 mm

长度

21.46 mm

宽度

16.26 mm

无铅

无铅