Microchip Technology APT8052BLLG

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

TO-247-3

安装类型

通孔

底架

通孔

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-247 [B]

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Mounting Styles

通孔

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

800 V

Id - Continuous Drain Current

15 A

Rds On - Drain-Source Resistance

520 mOhms

Vgs - Gate-Source Voltage

- 30 V, + 30 V

Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

3 V

Qg - Gate Charge

75 nC

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Pd - Power Dissipation

298 W

Channel Mode

Enhancement

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Unit Weight

0.211644 oz

Package

Tube

Base Product Number

APT8052

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A (Tc)

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Turn Off Delay Time

23 ns

RoHS

Compliant

Voltage Rating (DC)

800 V

Number of Elements

1

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Manufacturer Part Number

APT8052BLLG

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.74

Drain Current-Max (ID)

15 A

包装

Tube

系列

POWER MOS 7®

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

298 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

额定电流

15 A

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

Single

通道数量

1 Channel

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

298 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

9 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

520mOhm @ 7.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2035 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

75 nC @ 10 V

上升时间

6 ns

漏源电压 (Vdss)

800 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

15 A

JEDEC-95代码

TO-247AD

栅极至源极电压(Vgs)

30 V

漏极-源极导通最大电阻

0.52 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60 A

输入电容

2.035 nF

DS 击穿电压-最小值

800 V

雪崩能量等级（Eas）

1210 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

最大rds

520 mΩ

辐射硬化

无

无铅

无铅