Microchip Technology VP2206N2

工厂交货时间

6 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

750mA Tj

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

360mW Tc

Turn Off Delay Time

16 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

1998

JESD-609代码

e4

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

镍金

附加功能

高输入阻抗

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

6W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

4 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

900m Ω @ 3.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.5V @ 10mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

450pF @ 25V

上升时间

16ns

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

22 ns

连续放电电流(ID)

750mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.75A

漏极-源极导通最大电阻

0.9Ohm

漏源击穿电压

-60V

反馈上限-最大值 (Crss)

40 pF

高度

6.6mm

长度

9.4mm

宽度

9.4mm

辐射硬化

无

RoHS状态

Non-RoHS Compliant