注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
0910-60M
品牌
Microsemi Corporation
utmel 编号
1619-0910-60M
商品类别
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
封装
55AW
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
TRAN RF BIPO 180W 1000MHZ 55AW
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0910-60M详情
技术参数
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型号对比
Microsemi Corporation 0910-60M重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
生命周期状态
IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
引脚数
55
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
65V
Number of Elements
1
操作温度
200°C TJ
包装
Bulk
已出版
2003
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
附加功能
HIGH RELIABILITY
最大功率耗散
180W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
引脚数量
JESD-30代码
R-CDFM-F2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
集电极发射器电压(VCEO)
最大集电极电流
8A
增益
8dB ~ 8.5dB
频率转换
890MHz~1GHz
最高频段
超高频B型
RoHS状态
符合RoHS标准
技术文档: Microsemi Corporation 0910-60M.
右边的3个型号有着和Microsemi Corporation & 0910-60M相似的参数规格。
65 V
8 A
890MHz ~ 1GHz
180 W
Chassis Mount, Surface Mount
6.5 A
1.025GHz ~ 1.15GHz
250 W
55 V
30 A
875 W
60 A
1.09GHz
1.458 kW
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公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
型号:MRF5812GR1
封装:8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
品牌:Microsemi Corporation
库存:180
型号:1090MP
封装:55FW-1
库存:0
型号:MRF586
封装:TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
型号:TAN250A
封装:55AW
型号:1014-6A
封装:55LV
型号:2N3866A
¥320.425567
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