Microsemi Corporation 2N6784

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AF Metal Can

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.25A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

800mW Ta 15W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

1997

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

JESD-30代码

O-MBCY-W3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5 Ω @ 1.5A, 0V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.6nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

200V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

2.25A

漏极-源极导通最大电阻

2.81Ohm

DS 击穿电压-最小值

200V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant