Microsemi Corporation APT100GT60JR

工厂交货时间

24 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

ISOTOP

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

系列

Thunderbolt IGBT®

已出版

1999

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

附加功能

UL 认证

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

500W

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

额定电流

148A

引脚数量

4

配置

Single

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

148A

最大集极截止电流

25μA

输入电容

5.15nF

接通时间

115 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

2.5V @ 15V, 100A

关断时间-标准值（toff)

450 ns

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

30V

输入电容(Cies)@Vce

5.15nF @ 25V

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅