Microsemi Corporation APT25GP120BDQ1G

工厂交货时间

32 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

质量

38.000013g

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

3.3V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 25A, 5 Ω, 15V

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

POWER MOS 7®

已出版

1999

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

附加功能

低导通损耗

电压 - 额定直流

1.2kV

最大功率耗散

417W

额定电流

69A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

69A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

接通时间

26 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.9V @ 15V, 25A

连续集电极电流

69A

关断时间-标准值（toff)

200 ns

IGBT类型

PT

闸门收费

110nC

集极脉冲电流（Icm）

90A

Td（开/关）@25°C

12ns/70ns

开关能量

500μJ (on), 440μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

30V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6V

高度

5.31mm

长度

21.46mm

宽度

16.26mm

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅