Microsemi Corporation APT30GN60BDQ2G

工厂交货时间

25 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-247-3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

600V

Number of Elements

1

Test Conditions

400V, 30A, 4.3 Ω, 15V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

1999

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

电压 - 额定直流

600V

最大功率耗散

203W

额定电流

63A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

箱体转运

COLLECTOR

输入类型

Standard

晶体管应用

电源控制

极性/通道类型

N-CHANNEL

集电极发射器电压(VCEO)

600V

最大集电极电流

63A

接通时间

26 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

1.9V @ 15V, 30A

关断时间-标准值（toff)

255 ns

IGBT类型

沟渠现场停车

闸门收费

165nC

集极脉冲电流（Icm）

90A

Td（开/关）@25°C

12ns/155ns

开关能量

525μJ (on), 700μJ (off)

栅极-发射极电压-最大值

30V

栅极-发射极Thr电压-最大值

6.5V

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅