Microsemi Corporation APTGF200U120DG

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

SP6

引脚数

5

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Number of Elements

1

已出版

1999

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

5

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-40°C

最大功率耗散

1.136kW

端子位置

UPPER

终端形式

UNSPECIFIED

引脚数量

5

配置

Single

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

1136W

晶体管应用

通用开关

极性/通道类型

N-CHANNEL

输入

Standard

集电极发射器电压(VCEO)

1.2kV

最大集电极电流

275A

最大集极截止电流

500μA

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

输入电容

13.8nF

接通时间

100 ns

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）

3.7V @ 15V, 200A

关断时间-标准值（toff)

400 ns

IGBT类型

NPT

NTC热敏电阻

无

栅极-发射极电压-最大值

20V

输入电容(Cies)@Vce

13.8nF @ 25V

VCEsat-最大值

3.7 V

RoHS状态

符合RoHS标准