Microsemi Corporation JANTX2N6802U
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JANTX2N6802U
1619-JANTX2N6802U
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
18-CLCC
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MOSFET N-CH
1最小包装量--
JANTX2N6802U详情
Microsemi Corporation JANTX2N6802U重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
18-CLCC
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
2.5A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
800mW Ta 25W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 250μA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
系列
Military, MIL-PRF-19500/557
已出版
1997
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
15
ECCN 代码
EAR99
端子位置
QUAD
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
参考标准
MIL-19500/557
JESD-30代码
R-CQCC-N15
资历状况
Qualified
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.6 Ω @ 2.5A, 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
33nC @ 10V
上升时间
30ns
漏源电压 (Vdss)
500V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
2.5A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
1.725Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
11A
DS 击穿电压-最小值
500V
雪崩能量等级(Eas)
0.31 mJ
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
JANTX2N6802U拓展信息
Microsemi
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Microsemi Corporation
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