Microsemi Corporation TPR175
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TPR175
1619-TPR175
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
55CX
大陆
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RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55CX
1最小包装量--
TPR175详情
Microsemi Corporation TPR175重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
Chassis Mount, Screw
安装类型
底座安装
包装/外壳
55CX
引脚数
55
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
55V
Number of Elements
1
操作温度
200°C TJ
包装
Bulk
已出版
1996
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
最大功率耗散
290W
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
引脚数量
2
JESD-30代码
R-CDFM-F2
配置
SINGLE
功率 - 最大
290W
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
55V
最大集电极电流
9A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
10 @ 20mA 5V
增益
8dB ~ 9dB
频率转换
1.03GHz~1.09GHz
最高频段
L B
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
TPR175拓展信息
















哦! 它是空的。