注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.436446
10
¥0.411741
100
¥0.388435
500
¥0.366449
1000
¥0.345706
Nexperia USA Inc. 2N7002CK,215
- 收藏
- 对比
2N7002CK,215
1729-2N7002CK,215
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT-23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2N7002CK,215详情
Nexperia USA Inc. 2N7002CK,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
300mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
350mW Ta
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
引脚数量
3
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.6 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
55pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
1.3nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
JEDEC-95代码
TO-236AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.3A
DS 击穿电压-最小值
60V
反馈上限-最大值 (Crss)
7.5 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
2N7002CK,215拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.







哦! 它是空的。