注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.237137
10
¥0.223715
100
¥0.211051
500
¥0.199105
1000
¥0.187835
Nexperia USA Inc. 2N7002P,215
- 收藏
- 对比
2N7002P,215
1729-2N7002P,215
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 60V 0.36A SOT-23
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2N7002P,215详情
Nexperia USA Inc. 2N7002P,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
360mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
350mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8541.21.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
引脚数量
3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.6 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.8nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
DS 击穿电压-最小值
60V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
2N7002P,215拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.








哦! 它是空的。