BSS84,215
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Nexperia USA Inc. BSS84,215

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型号

BSS84,215

utmel 编号

1729-BSS84,215

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

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立即发货

ROHS

ECAD

简介

NEXPERIA - BSS84,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage

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BSS84,215
BSS84,215 Nexperia USA Inc. NEXPERIA - BSS84,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage

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BSS84,215详情

Nexperia USA Inc. BSS84,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    130mA Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Number of Elements

    1

  • Power Dissipation (Max)

    250mW Tc

  • Turn Off Delay Time

    7 ns

  • 操作温度

    -65°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2008

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 引脚数量

    3

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 通道数量

    1

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    250mW

  • 接通延迟时间

    3 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    10 Ω @ 130mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    45pF @ 25V

  • 漏源电压 (Vdss)

    50V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    -130mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    -50V

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 高度

    1.1mm

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

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技术文档: Nexperia USA Inc. BSS84,215.

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BSS84,215拓展信息

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