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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.332996
10
¥0.314147
100
¥0.296365
500
¥0.27959
1000
¥0.263764
Nexperia USA Inc. BSS84,215
- 收藏
- 对比
BSS84,215
1729-BSS84,215
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
大陆
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NEXPERIA - BSS84,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 6 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSS84,215详情
Nexperia USA Inc. BSS84,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
130mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
250mW Tc
Turn Off Delay Time
7 ns
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
引脚数量
3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
通道数量
1
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
250mW
接通延迟时间
3 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
10 Ω @ 130mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
45pF @ 25V
漏源电压 (Vdss)
50V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
-130mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
-50V
最大结点温度(Tj)
150°C
高度
1.1mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSS84,215拓展信息
Nexperia USA Inc.
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