Nexperia USA Inc. 2N7002CKVL

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.5V @ 250μA

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

350mW Ta

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

300mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

已出版

2017

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

零件状态

活跃

终止次数

3

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.6 Ω @ 500mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

55pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

1.3nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

TO-236AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.3A

DS 击穿电压-最小值

60V

反馈上限-最大值 (Crss)

7.5 pF

RoHS状态

ROHS3 Compliant