BC846BPN,115
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Nexperia USA Inc. BC846BPN,115

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型号

BC846BPN,115

utmel 编号

1729-BC846BPN,115

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR 56BS/SOT363/

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BC846BPN,115
BC846BPN,115 Nexperia USA Inc. Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR 56BS/SOT363/

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BC846BPN,115详情

Nexperia USA Inc. BC846BPN,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    65V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    200mV

  • Number of Elements

    2

  • hFEMin

    200

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q101

  • 已出版

    2009

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 最大功率耗散

    300mW

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 频率

    100MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    30

  • 基本部件号

    BC846BP

  • 引脚数量

    6

  • 极性

    NPN, PNP

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    200mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 增益带宽积

    100MHz

  • 晶体管类型

    NPN, PNP

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    65V

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    200 @ 2mA 5V

  • 最大集极截止电流

    15nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    300mV @ 5mA, 100mA

  • 转换频率

    100MHz

  • 最大击穿电压

    65V

  • 集电极基极电压(VCBO)

    80V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    6V

  • 最大结点温度(Tj)

    150°C

  • 环境温度范围高

    150°C

  • 高度

    1.1mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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BC846BPN,115拓展信息

BCM847BV,115
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Nexperia USA Inc.

BC817DS,115
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