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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.474146
10
¥0.447308
100
¥0.421988
500
¥0.398102
1000
¥0.375568
Nexperia USA Inc. BC847QASZ
- 收藏
- 对比
BC847QASZ
1729-BC847QASZ
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-XFDFN Exposed Pad
大陆
立即发货

TRANS 2NPN 45V 0.1A DFN1010B-6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BC847QASZ详情
Nexperia USA Inc. BC847QASZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-XFDFN Exposed Pad
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2015
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
最大功率耗散
350mW
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
6
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-N6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
350mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 5mA, 100mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
45V
频率转换
100MHz
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BC847QASZ拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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