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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥5.357576
10
¥5.054316
100
¥4.76822
500
¥4.498325
1000
¥4.243704
Nexperia USA Inc. PBSS4130PANP,115
- 收藏
- 对比
PBSS4130PANP,115
1729-PBSS4130PANP,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-UDFN Exposed Pad
大陆
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TRANS NPN/PNP 30V 1A 6HUSON
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PBSS4130PANP,115详情
Nexperia USA Inc. PBSS4130PANP,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
8 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
引脚数
6
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Saturation Voltage
-85mV
Current-Collector (Ic) (Max)
1A
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
1.45W
基本部件号
PBSS4130
引脚数量
6
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
箱体转运
COLLECTOR
功率 - 最大
510mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
125MHz
晶体管类型
NPN, PNP
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
2A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
210 @ 500mA 2V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
100mV @ 50mA, 500mA
转换频率
165MHz
频率转换
165MHz
集电极基极电压(VCBO)
30V
发射极基极电压 (VEBO)
7V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PBSS4130PANP,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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