Nexperia USA Inc. BCM857DS,115
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BCM857DS,115
1729-BCM857DS,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SC-74, SOT-457
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NEXPERIA - BCM857DS,115 - TRANS PNP/PNP 45V 0.1A SC74
--最小包装量--
BCM857DS,115详情
Nexperia USA Inc. BCM857DS,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74, SOT-457
引脚数
6
供应商器件包装
6-TSOP
质量
4.535924g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
-45V
Collector-Emitter Saturation Voltage
-200mV
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
2
hFEMin
200
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
容差
0.002%
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
50Ohm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
最大功率耗散
380mW
频率
16MHz
基本部件号
BCM857
ESR(等效串联电阻)
50Ohm
极性
PNP
负载电容
18pF
元素配置
Dual
功率耗散
380mW
频率容差
0.002%
功率 - 最大
380mW
测试电流
5mA
增益带宽积
175MHz
齐纳电压
3.3V
晶体管类型
2 PNP (Dual) Matched Pair
集电极发射器电压(VCEO)
-45V
最大集电极电流
-100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
45V
最大击穿电压
45V
频率转换
175MHz
集电极基极电压(VCBO)
-50V
发射极基极电压 (VEBO)
-5V
最大结点温度(Tj)
150°C
环境温度范围高
150°C
高度
1.1mm
长度
5mm
宽度
3.2mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BCM857DS,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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