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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.873274
10
¥2.710634
100
¥2.557206
500
¥2.412458
1000
¥2.275901
Nexperia USA Inc. BCM847BV,115
- 收藏
- 对比
BCM847BV,115
1729-BCM847BV,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SOT-563, SOT-666
大陆
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BCM847BV; BCM847BS; BCM847DS - NPN/NPN matched double transistors
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BCM847BV,115详情
Nexperia USA Inc. BCM847BV,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
供应商器件包装
SOT-666
质量
4.535924g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Collector-Emitter Saturation Voltage
400mV
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
2
hFEMin
200
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
最大功率耗散
300mW
频率
250MHz
基本部件号
BCM847
极性
NPN
元素配置
Dual
功率耗散
300mW
功率 - 最大
300mW
增益带宽积
250MHz
晶体管类型
2 NPN (Dual) Matched Pair
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
400mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
45V
最高频率
250MHz
最大击穿电压
45V
频率转换
250MHz
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
高度
600μm
长度
1.7mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BCM847BV,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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Nexperia USA Inc.
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