BCM847BV,115
BCM847BV,115

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Nexperia USA Inc. BCM847BV,115

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型号

BCM847BV,115

utmel 编号

1729-BCM847BV,115

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

BCM847BV; BCM847BS; BCM847DS - NPN/NPN matched double transistors

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BCM847BV,115
BCM847BV,115 Nexperia USA Inc. BCM847BV; BCM847BS; BCM847DS - NPN/NPN matched double transistors

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BCM847BV,115详情

Nexperia USA Inc. BCM847BV,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    4 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • 引脚数

    6

  • 供应商器件包装

    SOT-666

  • 质量

    4.535924g

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    45V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    400mV

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA

  • Number of Elements

    2

  • hFEMin

    200

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2006

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终端

    SMD/SMT

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 最大功率耗散

    300mW

  • 频率

    250MHz

  • 基本部件号

    BCM847

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    300mW

  • 功率 - 最大

    300mW

  • 增益带宽积

    250MHz

  • 晶体管类型

    2 NPN (Dual) Matched Pair

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    45V

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    200 @ 2mA 5V

  • 最大集极截止电流

    15nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    400mV @ 5mA, 100mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    45V

  • 最高频率

    250MHz

  • 最大击穿电压

    45V

  • 频率转换

    250MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    50V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    6V

  • 高度

    600μm

  • 长度

    1.7mm

  • 宽度

    1.3mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    无铅

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