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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.259011
10
¥0.24435
100
¥0.230519
500
¥0.217471
1000
¥0.205161
Nexperia USA Inc. BC856BS,115
- 收藏
- 对比
BC856BS,115
1729-BC856BS,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
大陆
立即发货

TRANS 2PNP 65V 0.1A 6TSSOP
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BC856BS,115详情
Nexperia USA Inc. BC856BS,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
65V
Number of Elements
2
hFEMin
290
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
300mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G6
极性
NPN, PNP
元素配置
Dual
功率耗散
300mW
正向电流
70mA
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
100MHz
正向电压
410mV
晶体管类型
2 PNP (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
65V
最大集电极电流
100mA
最大重复反向电压(Vrrm)
70V
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 5mA, 100mA
转换频率
100MHz
最大击穿电压
65V
集电极基极电压(VCBO)
80V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
100mA
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BC856BS,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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