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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.63035
10
¥0.59467
100
¥0.561009
500
¥0.529254
1000
¥0.499296
Nexperia USA Inc. BC847BV,115
- 收藏
- 对比
BC847BV,115
1729-BC847BV,115
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
SOT-563, SOT-666
大陆
立即发货

TRANS 2NPN 45V 0.1A SOT666
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BC847BV,115详情
Nexperia USA Inc. BC847BV,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
引脚数
6
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45V
Collector-Emitter Saturation Voltage
300mV
Number of Elements
2
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101
已出版
2001
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
300mW
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
频率
100MHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
BC847BV
引脚数量
6
极性
NPN
元素配置
Dual
功率耗散
300mW
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
100MHz
晶体管类型
2 NPN (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
45V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流
15nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 5mA, 100mA
转换频率
100MHz
集电极基极电压(VCBO)
50V
发射极基极电压 (VEBO)
5V
高度
600μm
长度
1.7mm
宽度
1.3mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BC847BV,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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