Nexperia USA Inc. BSH114,215

工厂交货时间

4 Weeks

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Power Dissipation (Max)

360mW Ta 830mW Tc

Number of Elements

1

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

500mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

1997

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

830mW

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

500m Ω @ 500mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

138pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4.6nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

850mA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.85A

漏极-源极导通最大电阻

0.5Ohm

DS 击穿电压-最小值

100V

RoHS状态

ROHS3 Compliant