Nexperia USA Inc. BSH201,215
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BSH201,215
1729-BSH201,215
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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MOSFET P, 60 V 0.3 A 417 mW SOT-23 | NXP BSH201215 (MOSFET P, 60 V 0.3 A 417 mW SOT-23 Transistors).
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BSH201,215详情
Nexperia USA Inc. BSH201,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
6 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
300mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
417mW Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1998
JESD-609代码
e3
零件状态
不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
417mW
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.5 Ω @ 160mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 1mA (Min)
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
70pF @ 48V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
3nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
-300mA
DS 击穿电压-最小值
60V
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSH201,215拓展信息
Nexperia USA Inc.
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