Nexperia USA Inc. BSH202,215

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

表面安装

YES

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

安装类型

表面贴装

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

520mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.9V @ 1mA

Turn Off Delay Time

45 ns

Power Dissipation (Max)

417mW Ta

Number of Elements

1

已出版

1998

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

900mOhm

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

417mW

接通延迟时间

2 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

900m Ω @ 280mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

80pF @ 24V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

2.9nC @ 10V

上升时间

4.5ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

4.5 ns

连续放电电流(ID)

-520mA

阈值电压

-1.9V

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

-30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.52A

漏源击穿电压

30V

双电源电压

-30V

栅源电压

-1.9 V

高度

6.35mm

宽度

6.35mm

长度

6.35mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅