Nexperia USA Inc. BSN20,215

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

173mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

830mW Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 1mA

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

15 Ω @ 100mA, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

25pF @ 10V

漏源电压 (Vdss)

50V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.173A

漏极-源极导通最大电阻

20Ohm

DS 击穿电压-最小值

50V

反馈上限-最大值 (Crss)

8 pF

达到SVHC

compliant

RoHS状态

符合RoHS标准