Nexperia USA Inc. BSP030,115
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BSP030,115
1729-BSP030,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
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NEXPERIA - BSP030,115 - MOSFET, N CH, 30V, 10A, SOT223
1最小包装量--
BSP030,115详情
Nexperia USA Inc. BSP030,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
引脚数
4
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
10A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
8.3W Tc
Turn Off Delay Time
18 ns
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchMOS™
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电阻
30MOhm
附加功能
逻辑电平兼容
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
4
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
8.3W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
8 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
30m Ω @ 5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
770pF @ 24V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
40nC @ 10V
上升时间
10ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
10A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
30V
漏源击穿电压
30V
栅源电压
2 V
高度
1.7mm
长度
6.7mm
宽度
3.7mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
BSP030,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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