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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.32904
10
¥2.197208
100
¥2.072838
500
¥1.955507
1000
¥1.844818
Nexperia USA Inc. BSP126,115
- 收藏
- 对比
BSP126,115
1729-BSP126,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
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On a Reel of 10, N-Channel MOSFET, 375 mA, 250 V, 3 Tab-Pin SOT-223 Nexperia BSP126, 115
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSP126,115详情
Nexperia USA Inc. BSP126,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
375mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.5W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
1997
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.75
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.5W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
5 Ω @ 300mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
120pF @ 25V
漏源电压 (Vdss)
250V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
375mA
漏极-源极导通最大电阻
5Ohm
DS 击穿电压-最小值
250V
反馈上限-最大值 (Crss)
15 pF
RoHS状态
ROHS3 Compliant
BSP126,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
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