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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥4.256268
10
¥4.015351
100
¥3.788062
500
¥3.573643
1000
¥3.371363
Nexperia USA Inc. BSP130,115
- 收藏
- 对比
BSP130,115
1729-BSP130,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-261-4, TO-261AA
大陆
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NEXPERIA - BSP130,115 - MOSFET, N CH, 300V, 350MA, SOT223
--最小包装量--
¥
总价: ¥
BSP130,115详情
Nexperia USA Inc. BSP130,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
4 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
表面安装
YES
引脚数
3
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
350mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
1.5W Ta
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2001
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
电阻
6Ohm
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-G4
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
1.5W
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
6 Ω @ 250mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
120pF @ 25V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
350mA
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
300V
漏源击穿电压
300V
栅源电压
2 V
高度
1.7mm
长度
6.7mm
宽度
3.7mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
BSP130,115拓展信息
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
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Nexperia USA Inc.
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